[发明专利]基于纳米氮化铝/聚酰亚胺复合材料转接板及其制备方法在审
| 申请号： | 201610634988.6 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106206543A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘哲;丁桂甫;程萍;陈明明;李娟;金之钰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768;C08L79/08;C08K9/06;C08K3/28 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 徐红银;郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于纳米氮化铝/聚酰亚胺复合材料转接板及其制备方法，包括转接板基体，在所述转接板基体内有金属柱阵列结构，所述金属柱阵列间的空隙被氮化铝增强的聚酰亚胺薄膜填充，所述金属柱阵列垂直贯穿于所述转接板基体。本发明由于聚酰亚胺介电性能好，微加工性能良好，同时纳米氮化铝具有良好的导热性能和力学性能，可以改善转接板的导热性能，并延长其使用寿命，因而可以实现低成本、高性能，有望实现产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 氮化 聚酰亚胺 复合材料 转接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米氮化铝/聚酰亚胺复合材料转接板，其特征在于，包括转接板基体，在所述转接板基体内有金属柱阵列结构，所述金属柱阵列间的空隙由纳米氮化铝增强的聚酰亚胺薄膜填充，所述金属柱阵列垂直贯穿于所述转接板基体。
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