[发明专利]介质薄膜的形成方法在审
| 申请号： | 201610635260.5 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106024591A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 邹文;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种介质薄膜的形成方法，包括如下步骤：提供一键合晶圆，所述键合晶圆由第一晶圆的第一面与第二晶圆的第一面键合而成，所述键合晶圆具有修整区域；在所述第一晶圆的第二面形成第一介质薄膜；在所述第二晶圆的第二面通过喷洒溶液进行第一次湿法清洗，在所述第一晶圆的第二面设置有气管，所述气管提供保护气体；在所述第一介质薄膜上形成第二介质薄膜；按第一次湿法清洗进行第二次湿法清洗。在本发明提供的介质薄膜的形成方法中，在介质薄膜形成后进行湿法清洗去除键合晶圆背面的残留物，通过设置提供保护气体的气管，防止溶液与键合晶圆的修整区域的介质薄膜反应产生的反应副产物残留在键合晶圆的正面，从而改善键合晶圆缺陷率。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种介质薄膜的形成方法，其特征在于，包括如下步骤，S1：提供一键合晶圆，所述键合晶圆由第一晶圆的第一面与第二晶圆的第一面键合而成，所述键合晶圆具有修整区域；S2：在所述第一晶圆的第二面形成第一介质薄膜；S3：在所述第二晶圆的第二面通过喷洒溶液进行第一次湿法清洗，在所述第一晶圆的第二面吹送保护气体；S4：在所述第一介质薄膜上形成第二介质薄膜；S5：按步骤S3所述进行第二次湿法清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
