[发明专利]射频放大器模块以及制造射频放大器模块的方法

摘要

放大器模块包括模块衬底。导电互连结构和放大器装置耦合到该模块衬底的顶部表面。该互连结构部分覆盖该模块衬底顶部表面以限定该顶部表面处的无导体区。该放大器装置包括：半导体衬底；晶体管；导电特征，该导电特征耦合到该半导体衬底的底部表面且耦合到这些互连结构中的至少一个互连结构；以及滤波器电路，该滤波器电路电耦合到该晶体管。该导电特征仅部分覆盖该半导体衬底底部表面以限定跨越该底部表面的一部分的无导体区。该无导体区与该模块衬底顶部表面处的这些无导体区中的至少一个无导体区对准。该滤波器电路包括形成于该半导体衬底顶部表面的一部分上的无源组件，该半导体衬底顶部表面的一部分在该无导体区的正对面。

主权项

一种放大器模块，其特征在于，包括：模块衬底，所述模块衬底具有顶部模块衬底表面和底部模块衬底表面；多个第一导电互连结构，所述多个第一导电互连结构耦合到所述顶部模块衬底表面，其中所述多个第一导电互连结构仅部分覆盖所述顶部模块衬底表面以限定所述顶部模块衬底表面处的多个无导体区；以及放大器装置，所述放大器装置耦合到所述模块衬底顶部表面，其中所述放大器装置包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有顶部半导体衬底表面和底部半导体衬底表面，晶体管，第一导电特征，所述第一导电特征耦合到所述底部半导体衬底表面和且耦合到所述第一导电互连结构中的至少一个第一导电互连结构，其中所述第一导电特征仅部分覆盖所述底部半导体衬底表面以限定跨越所述底部半导体衬底表面的第一部分的第一无导体区，并且其中所述第一无导体区与所述顶部模块衬底表面处的所述多个无导体区中的至少一个无导体区对准，以及第一滤波器电路，所述第一滤波器电路电耦合到所述晶体管，其中所述第一滤波器电路包括形成于所述顶部半导体衬底表面的一部分上的第一无源组件，所述顶部半导体衬底表面的一部分在所述第一无导体区的正对面。