[发明专利]利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法有效

专利信息
申请号: 201610635470.4 申请日: 2016-08-04
公开(公告)号: CN106169552A 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 赵斌 申请(专利权)人: 深圳市第四能源科技有限公司
主分类号: H01M2/14 分类号: H01M2/14;H01M2/16;H01M10/0525;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/56;C23C14/58
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地址: 518000 广东省深圳市福田区福*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法,该方法是将要处理的PE隔膜在净化房内分切成需要的尺寸后安装在设备的放卷辊上;开启Roll‑Roll真空磁控溅射镀膜设备,调整设备至可镀膜工艺条件;开启离子源轰击PE膜,将聚烃高分子键部分打开;在聚烃分子键打开的同时,开启中频溅射阴极,利用中频磁控溅射阴极反应溅射Si靶材,形成SixNy‑陶瓷材料嵌入到被打开的聚烃分子键位置,形成陶瓷膜;在真空状态下进行退火处理,消除陶瓷膜应力;收‑放卷连续溅镀;整卷镀膜完成;破真空;取下收券辊;取样检查性能;包装入库;它通过利用真空磁控溅射镀膜技术在锂电池用PE隔离膜上沉积一层陶瓷膜,改善PE隔膜对电解液的润湿性和提高PE隔膜热稳定性。
搜索关键词: 利用 真空 磁控溅射 技术 pe 隔膜 表面 制备 陶瓷膜 方法
【主权项】:
利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法,其特征在于:它包括以下步骤:a、将要处理的PE隔膜在净化房内分切成需要的尺寸后安装在Roll‑Roll真空磁控溅射镀膜设备的放卷辊上;b、开启Roll‑Roll真空磁控溅射镀膜设备,调整设备至可镀膜工艺条件;c、开启离子源轰击PE膜,将聚烃高分子键部分打开;d、在聚烃分子键打开的同时,开启中频溅射阴极,利用中频磁控溅射阴极反应溅射Si靶材,形成SixNy‑陶瓷材料嵌入到被打开的聚烃分子键位置;通过对磁控溅射阴极的工艺的控制,形成一层致密的陶瓷膜;e、隔膜表面沉积陶瓷膜后,在真空状态下进行退火处理,消除陶瓷膜应力;f、收‑放卷连续溅镀;g、整卷镀膜完成;h、破真空;i、取下收券辊;j、取样检查性能;k、包装入库。
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