[发明专利]Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、In_xGa_1‑xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si‑CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si‑CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si‑CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。

主权项

一种Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，包括微米柱LED器件和Si‑CMOS阵列驱动电路，所述微米柱LED器件其结构自下至上依次包括：一双面抛光的蓝宝石衬底；一生长在蓝宝石衬底上的缓冲层；一生长在缓冲层上的n型GaN层；一生长在n型GaN层上的In_xGa_1‑xN/GaN量子阱有源层；一生长在量子阱有源层上的p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si‑CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si‑CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。