[发明专利]用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201610636215.1 申请日: 2016-08-05
公开(公告)号: CN106206397B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 徐宸科;时军朋;邵小娟;林科闯 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法,所述薄膜包括基材和设置于所述基材上的粘合层,其特征在于:所述薄膜预设为粘贴区和扩展区,所述扩展区的弹性模量小于所述粘贴区的弹性模量,当对所述薄膜施以一拉伸力时,所述扩展区比所述粘贴区更容易产生拉伸形变。采用该薄膜进行半导体器件扩膜时,可保证器件均匀、有序排列于薄膜上。
搜索关键词: 用于 半导体器件 薄膜 制作方法
【主权项】:
1.用于半导体器件扩膜的薄膜,包括基材和设置于所述基材上的粘合层,其特征在于:所述薄膜预设为粘贴区和扩展区,所述粘合层直接形成在所述基材的表面上,所述基材为单层扩展膜,在用于粘附半导体器件之前预先形成二维图案化的弹性模量分布,其中扩展区的弹性模量小于所述基材之粘贴区的弹性模量,当将半导体器件通过所述粘合层粘附在该薄膜上并对所述薄膜施以拉伸力时,薄膜的扩展区比粘贴区更容易产生拉伸形变,使得所述半导体器件均匀分开排列于该薄膜上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司,未经厦门市三安光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610636215.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top