[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610638029.1 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106340536A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴传佳 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，其中，所述功率半导体器件，包括衬底；位于所述衬底上方的沟道层；位于所述沟道层上方的势垒层以及位于所述势垒层上方的源极、栅极和漏极，所述沟道层与所述势垒层的界面处形成有二维电子气，所述栅极位于所述源极与所述漏极之间；所述势垒层中形成有与所述源极对应的凹槽结构和/或与所述漏极对应的凹槽结构，所述源极的底部和/或所述漏极的底部位于对应的所述凹槽结构中，通过所述凹槽结构与所述势垒层和/或沟道层形成欧姆接触。采用上述技术方案，可以解决现有技术中采用RTA工艺形成欧姆接触时，高温影响器件性能的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上方的沟道层；位于所述沟道层上方的势垒层以及位于所述势垒层上方的源极、栅极和漏极，所述沟道层与所述势垒层的界面处形成有二维电子气，所述栅极位于所述源极与所述漏极之间；所述势垒层中形成有与所述源极对应的凹槽结构和/或与所述漏极对应的凹槽结构，所述源极的底部和/或所述漏极的底部位于对应的所述凹槽结构中，通过所述凹槽结构与所述势垒层和/或者沟道层形成欧姆接触。
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