[发明专利]一种Ag-Cu薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610638112.9 | 申请日: | 2016-08-04 |
公开(公告)号: | CN106435542B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 吴小平;李小云;王顺利;史建军;金立;杨欧 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | C23C18/44 | 分类号: | C23C18/44 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种Ag‑Cu薄膜的制备方法,包括以下制备步骤:处理Cu片,准备高纯Cu片;配置含有一定量的SDS的硫酸铜溶液,并将处理后的Cu片插入上述溶液中;加热至40‑60℃,保持3‑6小时,取出,即形成Cu2O‑Cu片;将上述Cu2O‑Cu片插入一定浓度的柠檬酸钠溶液中;加入一定量的AgNO3溶液,室温搅拌;再快速加入一定量的氨水,继续搅拌一定时间,取出样品。本发明的原料廉价易得,合成工艺简单,成本低,反应周期短,反应便于控制,制备的样品均匀,Ag薄膜牢固,不易脱落,且其表面也生成片状结构,且热点较多,利于表面拉曼增强,利于循环利用,也利于制成器件,且对环境无污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 ag cu 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种Ag‑Cu薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:步骤一,处理Cu片,准备高纯Cu片;步骤二,配置含有一定量的SDS的硫酸铜溶液,并将处理后的Cu片插入上述溶液中;步骤三,在温度为40‑60℃条件下,保持3‑6小时,取出,即形成Cu2O‑Cu片;步骤四,将上述Cu2O‑Cu片浸入一定浓度的柠檬酸钠溶液中;步骤五,加入一定量的AgNO3溶液,室温搅拌;步骤六,在上述步骤五的基础上快速加入一定量的氨水,继续搅拌一定时间,取出样品;所述柠檬酸钠的浓度为(1×10‑3‑4.2×10‑3)g/mL;所述AgNO3与硫酸铜的质量比为(0.16‑5)∶1;所述氨水的体积与硫酸铜溶液的体积比为(0.1‑0.2)∶1。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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