[发明专利]钴酸镧纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610638384.9 申请日: 2016-08-05
公开(公告)号: CN106362753B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 孙岚;俞江东;肖望;林昌健 申请(专利权)人: 厦门大学;厦门大学深圳研究院
主分类号: B01J23/83 分类号: B01J23/83;C25D11/26;C01G51/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 钴酸镧纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列的制备方法,涉及二氧化钛纳米管阵列。将基底材料表面进行清洁预处理;配制HF的水溶液为电解液,基底材料为工作电极,进行电化学阳极氧化,在基底材料表面构筑一层排列有序、尺寸可控的TiO2纳米管阵列膜,然后对膜层进行热处理,得TiO2纳米管阵列膜;配制前驱体溶液,加入络合剂,搅拌后得到溶液A;配制碱性溶液和碳酸溶液,混合后加到溶液A中,调节pH至8.5~11.5后,再转移到布氏漏斗进行抽滤、洗涤,至母液为中性,得到的沉淀干燥后热处理;将得到的粉末配制为悬浊液,再将TiO2纳米管阵列膜放入悬浊液中,超声辅助浸渍后清洗、干燥,对复合膜进行热处理,即得产物。
搜索关键词: 钴酸镧 纳米 颗粒 修饰 氧化 阵列 制备 方法
【主权项】:
1.钴酸镧纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将基底材料表面进行清洁预处理;2)配制HF的水溶液为电解液,基底材料为工作电极,进行电化学阳极氧化,在基底材料表面构筑一层排列有序、尺寸可控的TiO2纳米管阵列膜,然后对膜层进行热处理,得TiO2纳米管阵列膜;所述HF的水溶液的质量百分浓度为0.2%~2.0%;3)配制前驱体溶液,加入络合剂,搅拌后得到溶液A;所述前驱体溶液采用硝酸镧和硝酸钴配制,前驱体溶液采用La摩尔浓度为0.1~1.0mol·L‑1,Co/La浓度比为1︰(1~3)的前驱体溶液;所述络合剂采用柠檬酸;所述络合剂的加入量为10~20μmol;所述搅拌的时间为30min;4)配制碱性溶液和碳酸溶液,混合后加到步骤3)得到的溶液A中,调节pH至8.5~11.5后,再转移到布氏漏斗进行抽滤、洗涤,至母液为中性,得到的沉淀干燥后热处理;5)将步骤4)得到的粉末配制为悬浊液,再将步骤2)所得TiO2纳米管阵列膜放入悬浊液中,超声辅助浸渍后清洗、干燥,对复合膜进行热处理,即得钴酸镧纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列。
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