[发明专利]包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610638430.5 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106952879B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 金钟薰;成基俊;刘荣槿;崔亨硕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528;H01L25/07;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开涉及包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法。提供了一种半导体封装结构和用于制造该半导体封装结构的方法。根据该方法，第一模具层被形成为覆盖第一半导体芯片和第一凸块。第一模具层的一部分被去除以暴露出所述第一凸块的顶部，并且第二凸块被设置成被连接到各个第一凸块。第二模具层被形成，并且所述第二模具层被凹进以形成具有设置在所述第一凸块上的所述第二凸块的贯通式模具连接器，所述贯通式模具连接器基本上穿透所述第二模具层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 贯通 模具 连接器 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体封装件的方法，该方法包括以下步骤：在第一互连结构层上设置第一半导体芯片和多个第一凸块；形成覆盖所述第一凸块和所述第一半导体芯片的第一模具层；选择性地去除所述第一模具层的一些部分，以暴露出所述第一凸块的顶部，其中，去除所述第一模具层的一些部分的步骤包括以下步骤：选择性地研磨所述第一模具层的覆盖所述第一凸块的区域并且留出所述第一模具层的覆盖所述第一半导体芯片的保留区域，以在所述第一模具层处形成阶梯形状；设置连接至通过所述第一模具层的阶梯形状暴露出的第一凸块的第二凸块；形成覆盖所述第二凸块的第二模具层；通过使所述第二模具层凹进来暴露出所述第二凸块的顶部；以及层叠电连接至所述第二凸块的第二半导体芯片。
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