[发明专利]碳化硅外延晶片的制造方法及制造装置有效
| 申请号： | 201610638775.0 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106435722B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;酒井雅;三谷阳一郎;山本高裕;木村泰广;沟部卓真;富田信之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 晶片 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：将清除气体导入至生长炉内而将附着于所述生长炉的内壁面的树枝状碳化硅去除；在导入所述清除气体后，将碳化硅衬底搬入至所述生长炉内；以及将工艺气体导入至所述生长炉内，在所述碳化硅衬底之上使碳化硅外延层生长而制造碳化硅外延晶片，将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的所述清除气体导入至所述生长炉内，所述清除气体仅是非活性气体或者氢气。
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