[发明专利]半导体元件结构在审
| 申请号： | 201610638845.2 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107204368A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 卡罗斯·H·戴尔兹;尚-皮耶·柯林基;张琮永;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体元件结构。半导体元件结构包括具有一顶面的一基板。半导体元件结构包括位于该基板上的一第一柱状结构。该第一柱状结构包括依序堆迭在一起的一第一重度N掺杂层、一第一P掺杂层、一N掺杂层及一第一重度P掺杂层。该第一柱状结构沿一第一方向延伸远离该基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件结构，包括：一基板，具有一顶面；及一第一柱状结构，位于该基板上，其中该第一柱状结构包括依序堆迭在一起的一第一重度N掺杂层、一第一P掺杂层、一N掺杂层及一第一重度P掺杂层，而该第一柱状结构沿一第一方向延伸远离该基板。
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