[发明专利]一种GaNHEMT噪声模型建立方法在审
| 申请号： | 201610640296.2 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106294976A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN HEMT噪声模型建立方法，包括以下步骤：S1、建立GaN HEMT小信号等效电路模型，选取一个小信号等效电路拓扑，并提取小信号等效电路拓扑的外部寄生参数和本征参数；S2、将GaN HEMT小信号等效电路模型的本征区域引入噪声源，得到噪声等效电路，并根据噪声等效电路建立GaN HEMT本征区域噪声源表达式；S3、根据本征区域噪声源表达式计算出本征区域的噪声参数表达式，并计算出整个GaN HEMT器件的噪声参数表达式；S4、在50Ω阻抗条件下，对GaN HEMT器件进行噪声系数测试，结合测试数据和整个GaN HEMT器件的噪声参数表达式提取噪声模型参数；S5、验证模型的准确性。本发明无需信号源阻抗调谐器和复杂的优化拟合过程，简化了测试系统和参数提取流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ganhemt 噪声 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT噪声模型建立方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立GaN HEMT小信号等效电路模型，选取一个小信号等效电路拓扑，并提取所述小信号等效电路拓扑的外部寄生参数和本征参数；S2、将GaN HEMT小信号等效电路模型的本征区域引入噪声源，得到噪声等效电路，并根据所述噪声等效电路建立GaN HEMT本征区域噪声源表达式；S3、根据所述本征区域噪声源表达式计算得到本征区域的噪声参数表达式，结合所述本征区域的噪声参数表达式和所述外部寄生参数计算得到整个GaN HEMT器件的噪声参数表达式；S4、在50Ω阻抗条件下，对GaN HEMT器件进行噪声系数测试，结合所述测试数据和整个GaN HEMT器件的噪声参数表达式提取噪声模型参数；S5、结合所述外部寄生参数、本征参数、噪声模型参数及整个GaN HEMT器件的噪声参数表达式得到GaN HEMT器件的噪声参数随频率的变化关系，将所述变化关系与GaN HEMT器件的噪声测试数据进行对比，验证模型的准确性。
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