[发明专利]碳基体表面TaC涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201610641746.X | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106298448A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王松;沈小松;李伟;蒋进明;张健 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C04B35/56 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 赵洪,张鲜 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市开福区德雅路1*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳基体表面TaC涂层及其制备方法，该碳基体表面TaC涂层包括含Ta和C的杂化配合物与碳基体的碳原位反应生成的TaC，以及含Ta和C的杂化配合物分解生成的TaC。制备方法包括以下步骤：（1）合成TaC前驱体；（2）配制TaC前驱体料浆；（3）高温分段热处理。该碳基体表面TaC涂层具有与基体结合强度高、结晶性好、均匀致密、耐腐蚀和热稳定性突出等优点。该制备方法对工艺设备要求简单，周期短、成本低且适应性广。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 表面 tac 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳基体表面TaC涂层，其特征在于，包括含Ta和C的杂化配合物与碳基体的碳原位反应生成的TaC。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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