[发明专利]用于直接键合硅与硅或碳化硅与碳化硅的方法有效
| 申请号： | 201610642718.X | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106449379B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈继宏;卫久安 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;杨学春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于直接键合硅与硅或碳化硅与碳化硅的方法。一种用于键合第一硅部件与第二硅部件的方法，包括：在热绝缘结构的表面上布置所述第一硅部件和所述第二硅部件直接物理接触；控制所述热绝缘结构中的压强至预定压强；使用一个或多个加热器控制所述热绝缘结构中的温度至预定温度；以及在处理时间段期间键合所述第一硅部件与所述第二硅部件。所述预定温度在高于或等于1335℃且低于1414℃的温度范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 直接 键合硅 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种用于键合第一硅部件与第二硅部件的方法，其包括：在热绝缘结构的表面上布置所述第一硅部件和所述第二硅部件直接物理接触；控制所述热绝缘结构中的压强至预定压强；使用一个或多个加热器控制所述热绝缘结构中的温度至预定温度；以及在处理时间段期间键合所述第一硅部件和所述第二硅部件，其中，所述预定温度在高于或等于1335℃且低于1414℃的温度范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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