[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201610642822.9 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706146B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;徐依协 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充金属形成第一插塞，且所述第一插塞的上表面高于所述第一衬底的一表面；提供第二衬底，所述第二衬底中具有第二插塞及与所述第二插塞的一端连接的器件层，所述第二插塞的另一端在所述第二衬底的一表面处暴露；以及将所述第一衬底的一表面与所述第二衬底的一表面键合，且所述第一插塞与所述第二插塞电性连接，所述第一插塞和所述第二插塞形成通孔。本发明中，形成的通孔的深宽比更大，节省通孔占用的器件的面积，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充金属形成第一插塞，且所述第一插塞的上表面高于所述第一衬底的一表面；提供第二衬底，所述第二衬底中具有第二插塞及与所述第二插塞的一端连接的器件层，所述第二插塞的另一端在所述第二衬底的一表面处暴露；以及将所述第一衬底的一表面与所述第二衬底的一表面键合，且所述第一插塞与所述第二插塞电性连接，所述第一插塞和所述第二插塞形成通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
