[发明专利]FinFET器件的制造方法

摘要

本发明提供一种FinFET器件的制造方法，在相邻鳍片之间形成第一隔离结构并在单个鳍片上形成第二隔离结构后，在所述第一隔离结构、第二隔离结构和硬掩膜层表面上形成分立的牺牲层结构，利用分立的牺牲层结构为掩膜，保护第二隔离结构并对第一隔离结构进行第一次回刻蚀，使得第一隔离结构和第二隔离结构产生高度差，在移除所述分立的牺牲层结构以及硬掩膜层之后，再对所述第一隔离结构进行第二次回刻蚀以及对第二隔离结构进行首次回刻蚀，使高出所述第一隔离结构的顶部的鳍片作为FinFET器件的鳍片，而高于所述鳍片的顶部的所述第二隔离结构作为FinFET器件的SDB隔离结构，该SDB隔离结构不会偏出现堆叠偏差，隔离性能良好，进而提高了器件性能。

主权项

一种FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层和硬掩膜层；对所述硬掩膜层、刻蚀阻挡层以及半导体衬底进行刻蚀，刻蚀停止在所述半导体衬底内，以在所述半导体衬底中形成多个鳍片，且相邻的所述鳍片之间具有第一沟槽，至少一个所述鳍片上具有第二沟槽；对所述第一沟槽和第二沟槽进行隔离材料填充，并平坦化所述隔离材料至所述硬掩膜层顶部表面，以形成填充在所述第一沟槽中的第一隔离结构以及填充在所述第二沟槽中的第二隔离结构；在所述第一隔离结构、第二隔离结构以及硬掩膜层的表面上覆盖牺牲层，刻蚀所述牺牲层至所述硬掩膜层顶部表面，以在沿所述单个鳍片的长度延伸方向上形成分立的牺牲层结构，所述分立的牺牲层结构完全覆盖所述第二隔离结构的顶部表面；对所述第一隔离结构进行第一次回刻蚀，使所述第一隔离结构的顶部低于所述硬掩膜层的顶部；移除所述分立的牺牲层结构以及所述硬掩膜层，并对所述第一隔离结构进行第二次回刻蚀以及对第二隔离结构进行回刻蚀，使所述第一隔离结构的顶部低于所述鳍片的顶部，而所述第二隔离结构的顶部高于所述鳍片的顶部。