[发明专利]X射线多粒晶体学在审

专利信息
申请号: 201610643281.1 申请日: 2016-08-08
公开(公告)号: CN106442582A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 克里斯蒂安·韦德曼恩;翰宁·弗里斯·波尔森;埃里克·梅达尔·劳里德森;彼得·雷斯奇格 申请(专利权)人: 埃克诺瓦技术公司
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20;G01N23/207
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 代理人: 张瑞;郑霞
地址: 暂无信息 国省代码: 丹麦;DK
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摘要: 发明涉及X射线多粒晶体学。公开了确定多晶样品的一个或多个单位晶胞并标引3D衍射向量的集合DV的方法。该方法包括:得到特定的未知颗粒的多个候选第一晶格平面法线向量和多个候选第二晶格平面法线向量;使用所述多个候选第一晶格平面法线向量和所述多个候选第二晶格平面法线向量来选择3D衍射向量的集合DV的多个子集SSDV_n,并处理3D衍射向量的所述多个子集SSDV_n以确定由三个晶格向量限定的主要候选单位晶胞PCUC;其中主要候选单位晶胞PCUC通过评估PCUC与3D衍射向量的完全集合DV的拟合度而被验证。
搜索关键词: 射线 晶体学
【主权项】:
一种确定多晶样品的一个或多个单位晶胞并将通过使用X射线源在一个或多个方向上照亮所述多晶样品并对于所述一个或多个方向中的每个使用至少一个2D或3D X射线检测器记录衍射斑而得到的3D衍射向量的集合DV标引的方法,3D衍射向量的所述集合DV被索引到多个颗粒内,所述方法包括下列步骤:(A)得到特定的未知颗粒的多个候选第一晶格平面法线向量和多个候选第二晶格平面法线向量;使用所述多个候选第一晶格平面法线向量和所述多个候选第二晶格平面法线向量来选择3D衍射向量的所述集合DV的多个子集SSDV_n,并处理3D衍射向量的所述多个子集SSDV_n以确定由三个晶格向量限定的主要候选单位晶胞PCUC;其中所述主要候选单位晶胞PCUC的对应通过评估所述PCUC与3D衍射向量的完全集合DV的拟合度而被验证;以及(B)确定所述主要候选单位晶胞PCUC与3D衍射向量的所述完全集合DV的拟合度是否高于第一阈值;其中如果所述主要候选单位晶胞PCUC的拟合度高于所述第一阈值,则所述主要候选单位晶胞PCUC用于识别3D衍射向量的所述集合DV中的起源于在所述多晶样品中的单个颗粒的子集ST,所述子集ST被标引,其中所述方法返回到步骤(A),除非已经达到预定标准。
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