[发明专利]一种有机金属配合物p-n结纳米晶制备方法

摘要

本发明的有机金属配合物p‑n结纳米晶制备方法，包括以下具体步骤：用真空蒸镀的方法在基底上沉积一层厚度为50‑2000nm的经式有机金属配合物无定形膜层；将得到的上述膜层向上放置，用洁净玻璃片覆盖膜层上，并将其安放在玻璃试管中，在300‑400℃的空气环境下正火烧结8‑24min；停止加热，冷却至室温，控制加热条件不同，即可得到不同结构的有机金属配合物纳米晶；在有机金属配合物纳米晶的制样管中通入有机溶剂四氢呋喃以及氢气混合气体10min，即可得到p‑n金属配合物晶体。通过上述，本发明在不同的构象下表现为p型和n型半导体导线特性，同时可用于有机半导体发光器件、有机场效应晶体管、太阳能电池等领域。

主权项

1.一种有机金属配合物p‑n结纳米晶制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤1：用真空蒸镀的方法在基底上沉积一层厚度为50‑2000nm的经式有机金属配合物无定形膜层；步骤2：将得到的上述膜层向上放置，用洁净玻璃片覆盖膜层上，并将其安放在玻璃试管中，在300‑400℃的空气环境下正火烧结8‑24min；步骤3：停止加热，冷却至室温，控制加热条件不同，即可得到不同结构的有机金属配合物纳米晶，其中，所述的有机金属配合物纳米晶包括p型和n型半导体掺杂的纳米棒，步骤4：在有机金属配合物纳米晶的制样管中通入有机溶剂四氢呋喃以及氢气混合气体10min，即可得到p‑n金属配合物晶体。