[发明专利]带分区写保护和保护位置乱处理的非挥发存储器及其写操作方法有效
| 申请号： | 201610644148.8 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN106295414B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 解玉凤;肖奕;周乐成;闫石林;周百会;周思远;林殷茵 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F21/79 | 分类号： | G06F21/79;G11C17/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电阻式随机存储器外围设计领域，具体为一种带分区写保护和保护位置乱处理的非挥发存储器及其写操作方法。本发明非挥发存储器总体电路包括两部分功能不同的阻变式存储阵列、以及两部分功能对应的外围写保护电路。阻变式存储阵列包括一部分用于存储如密钥、认证标签等安全信息相关的数据，另一部分用于存储在进行写操作时需要得到确认的受保护数据。本发明可以提供安全信息相关的数据单独存储以防止任何修改或者受保护信息被无意修改或外界恶意篡改。 | ||
| 搜索关键词： | 分区 写保护 保护 位置 处理 挥发 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种高安全性的非挥发存储器，按照安全性需求，分为OTP区和MTP区；其特征在于，包括：OTP区SET控制电路，MTP区写控制电路，写驱动电路，地址变换电路，存储阵列和写保护控制电路；而MTP区写控制电路包括MTP区SET控制电路和MTP区RESET控制电路；存储阵列包括OTP存储阵列、MTP存储阵列和保护位存储阵列；其中：所述OTP区SET控制电路，用于控制OTP存储阵列的SET写操作；所述MTP区SET控制电路用于控制MTP存储阵列的SET写操作；所述MTP区RESET控制电路用于控制MTP存储阵列的RESET写操作；上述控制信号和地址变换电路一起控制存储阵列能否被写入以及哪一个存储单元被写入；其中，地址变换电路在对普通存储阵列即OTP存储阵列和MTP存储阵列进行写操作时不进行地址变换，在对保护位存储阵列进行写操作时将输入地址自动转换成对应区块的保护位存储地址；写驱动电路提供存储单元修改时所需的电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610644148.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：应用于移动POS机的操作系统及其操作方法
- 下一篇：一种U盘数据安全控制方法
