[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的生长方法有效
| 申请号： | 201610644183.X | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106229390B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨兰;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次层叠生长缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层和p型接触层；多量子阱层包括两层第一多量子阱层、以及设置在两层第一多量子阱层之间的第二多量子阱层，第一多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，第二多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和复合量子垒层，复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层，第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长且掺杂有Mg，第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长。本发明提高空穴注入效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 芯片 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次层叠生长缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型层和p型接触层；其特征在于，所述多量子阱层包括两层第一多量子阱层、以及设置在所述两层第一多量子阱层之间的第二多量子阱层，所述第一多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述第二多量子阱层包括依次层叠的InGaN量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层和第三量子垒子层，所述第二量子垒子层在纯氮气气氛下生长且掺杂有Mg，所述第三量子垒子层在纯氢气气氛下生长；所述第一量子垒子层为AlxGa1‑xN层，0≤x＜1；所述第二量子垒子层为InyGa1‑yN层，0≤y＜1；所述第三量子垒子层为AlzGa1‑zN层，0≤z＜1。
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