[发明专利]一种提高ZnO薄膜均匀性和分散性的低温处理方法有效
| 申请号： | 201610644338.X | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN106298449B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 孙健;王艳香;邱任拯;陈凌燕;李家科;赵学国 | 申请（专利权）人： | 景德镇陶瓷大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州广信知识产权代理有限公司 44261 | 代理人： | 李玉峰 |
| 地址： | 333001 江西省景*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高ZnO薄膜均匀性和分散性的低温处理方法，将已制备好的ZnO薄膜放入具有密封性的器皿中，然后将氨水滴入到器皿中，所述氨水的用量为器皿容积的0.07～0.20％；再将整个器皿置于加热板上加热，加热温度为50～150℃，加热时间为0.5～1h；加热完成后，待样品冷却后取出则处理完毕。本发明通过氨水蒸汽低温热处理，有效提高了低温制备的ZnO薄膜的均匀性和分散性，对于ZnO薄膜的低温制备和应用具有重要的意义；并且工艺简单易行，原料易得，能耗低，便于推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 zno 薄膜 均匀 分散性 低温 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种提高ZnO薄膜均匀性和分散性的低温处理方法，其特征在于：将已制备好的ZnO薄膜放入具有密封性的器皿中，然后将氨水滴入到器皿中，所述氨水的用量为器皿容积的0.07～0.20％；再将整个器皿置于加热板上加热，加热温度为50～150℃，加热时间为0.5～1h；加热完成后，待样品冷却后取出则处理完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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