[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件及其制造方法，使半导体器件的性能提高。半导体器件具有：经由在内部具有电荷存储膜(EC)的栅极绝缘膜(GIM)形成在SOI衬底(SB)的SOI层(14)上的栅电极(CG)；和分别形成在栅电极(CG)的两侧的SOI层(14)上的n型半导体区域(23a)和p型半导体区域(23b)。由栅极绝缘膜(GIM)、栅电极(CG)、n型半导体区域(23a)以及p型半导体区域(23b)形成作为非易失性存储单元的存储单元(MC)。

主权项

一种半导体器件，具有：基体；绝缘层，其形成在所述基体上；半导体层，其形成在所述绝缘层上；栅极绝缘膜，其形成在所述半导体层上，并在内部具有电荷存储部；栅电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；第一导电型的第一半导体区域，其形成于在俯视时相对于所述栅电极位于第一侧的部分的所述半导体层；以及与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区域，其形成于在俯视时相对于所述栅电极位于与所述第一侧相反一侧的部分的所述半导体层，由所述栅极绝缘膜、所述栅电极、所述第一半导体区域以及所述第二半导体区域形成非易失性存储单元。