[发明专利]一种草甘膦分子印迹电化学传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610645032.6 申请日: 2016-08-08
公开(公告)号: CN106226370B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 佘永新;王静;李腾飞;张超;赵风年;洪思慧;金茂俊;王珊珊;金芬;邵华;郑鹭飞 申请(专利权)人: 中国农业科学院农业质量标准与检测技术研究所
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/48
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 肖玉娟
地址: 100000 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及分子印迹和电化学聚合技术领域,具体而言,涉及一种草甘膦分子印迹电化学传感器的制备方法,该制备包括以下步骤1)、在石墨烯修饰电极上电化学沉积金纳米颗粒得到石墨烯‑纳米金修饰电极;2)、采用电化学聚合法在所述石墨烯‑纳米金修饰电极表面原位聚合分子印迹聚合物,形成一层分子印迹膜;所述分子印迹聚合物以吡咯为功能单体、以草甘膦为模板分子;3)、去除草甘膦模板分子,制得所述草甘膦分子印迹电化学传感器。
搜索关键词: 种草 分子 印迹 电化学传感器 制备 方法
【主权项】:
一种草甘膦分子印迹电化学传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、在石墨烯修饰电极上电化学沉积金纳米颗粒得到石墨烯‑纳米金修饰电极;所述石墨烯修饰电极由石墨烯分散液对待修饰电极进行处理得到;以体积份数计,所述石墨烯分散液的成分包括BPPF6 3~7份、超纯水450~550份、丙酮450~550份;2)、采用电化学聚合法在所述石墨烯‑纳米金修饰电极表面原位聚合分子印迹聚合物,形成一层分子印迹膜;所述分子印迹聚合物以吡咯为功能单体、以草甘膦为模板分子;所述功能单体与所述模版分子的浓度比为(4~6):1;所述功能单体与所述模版分子预先混合并溶解,所用溶剂为Britton‑Robison缓冲溶液;pH=3.8~4.2;所述采用电化学聚合法在所述石墨烯‑纳米金修饰电极表面原位聚合分子印迹聚合物,形成一层分子印迹膜的反应条件为:在扫描速度为90mV/s~110mV/s、电位范围为‑1.0V~1.0V时,循环扫描聚合4~6圈;3)、去除草甘膦模板分子,制得所述草甘膦分子印迹电化学传感器。
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