[发明专利]半导体装置

摘要

提供栅极绝缘膜的耐压高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备SiC基板、设置在SiC基板上且在表面侧具有沟槽的SiC层、设置在SiC层内的第1导电型的第1SiC区域、设置在第1SiC区域与SiC基板之间的第2导电型的第2SiC区域、设置在第2SiC区域与SiC基板之间的第1导电型的第3SiC区域、设置在沟槽的侧面上以及底面上的栅极绝缘膜、以及设置在栅极绝缘膜上的栅极电极，第2SiC区域和第3SiC区域之间的边界位于沟槽的侧面的侧方，边界具有第一区域，该第一区域距SiC层表面的距离随着远离沟槽而变大，距沟槽的侧面的距离为0μm以上且0.3μm以下。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：SiC基板；SiC层，设置在所述SiC基板上，在表面侧具备第1沟槽，该第1沟槽具有侧面和底面；第1导电型的第1SiC区域，设置在所述SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，在所述SiC层内设置在所述第1SiC区域与所述SiC基板之间；第1导电型的第3SiC区域，在所述SiC层内设置在所述第2SiC区域与所述SiC基板之间；栅极绝缘膜，设置在所述第1沟槽的所述侧面上以及所述底面上；以及栅极电极，在与所述第1SiC区域、所述第2SiC区域、及所述第3SiC区域之间设有所述栅极绝缘膜，所述第2SiC区域与所述第3SiC区域之间的边界位于所述第1沟槽的所述侧面的侧方，所述边界具备第1区域，所述第1区域距所述SiC层的所述表面的距离随着远离所述第1沟槽而变大，从所述第1沟槽的所述侧面到所述第1区域的所述第1沟槽侧的端部为止的距离为0μm以上且0.3μm以下。