[发明专利]OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法有效
申请号: | 201610645445.4 | 申请日: | 2016-08-08 |
公开(公告)号: | CN106097943B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 黄泰钧;梁鹏飞;周明忠;许神贤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法,该方法在驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测过程中,先向驱动薄膜晶体管的栅极提供一高电压,利用该提供的高电压增大驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压差,从而提升流过驱动薄膜晶体管的电流,加快驱动薄膜晶体管的源极电压的提升速度,进而加快OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测速度,减少OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测时间,提升用户体验,同时还在驱动薄膜晶体管的源极电压达到稳定之前,将驱动薄膜晶体管的栅极恢复为低电压,保证驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 驱动薄膜晶体管 阈值电压 侦测 源极电压 高电压 用户体验 低电压 电压差 源极 保证 恢复 | ||
【主权项】:
1.一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一OLED显示装置驱动电路,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第一电容(C1)、有机发光二极管(D1)、及开关(S1);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan),源极接入数据信号(Data),漏极电性连接第一节点(P);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(P),源极接入直流电压信号(Ovdd),漏极电性连接第二节点(Q);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入侦测信号(Sen),源极电性连接第三节点(K),漏极电性连接第二节点(Q);所述第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(P),另一端电性连接第二节点(Q);所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(Q),阴极接地;所述开关(S1)的一端接入公共电压(Vcm),另一端电性连接第三节点(K);所述第二薄膜晶体管(T2)为驱动薄膜晶体管;步骤2、所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)均提供高电位,第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)均打开,所述数据信号(Data)提供第一电压(V1),所述第一节点(P)被充电至第一电压(V1),所述第二薄膜晶体管(T2)导通,所述开关(S1)闭合,所述第二节点(Q)被箝位在公共电压(Vcm);步骤3、所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)保持高电位,第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)保持打开,所述数据信号(Data)保持第一电压(V1),所述第一节点(P)的电压保持在第一电压(V1),所述开关(S1)断开,所述第二节点(Q)的电压开始上升;步骤4、所述第二节点(Q)的电压上升至第三电压(V3),所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)保持高电位,第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)保持打开,所述开关(S1)保持断开,所述数据信号(Data)提供小于第一电压(V1)的第二电压(V2),所述第一节点(P)的电压下降至第二电压(V2),所述第二薄膜晶体管(T2)仍导通,所述第二节点(Q)的电压继续上升,直至稳定在第四电压(V4);所述第二电压(V2)小于有机发光二极管(D1)的阈值电压,所述第三电压(V3)大于公共电压(Vcm)且小于第四电压(V4);步骤5、提供一模数转换器(ADC),利用所述模数转换器(ADC)侦测出所述第二节点(Q)的电压,并根据第二节点(Q)的电压得出所述第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压,所述第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压等于第二电压(V2)与第二节点(Q)的电压的差值。
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