[发明专利]一种峰值电压可变的梯形脉冲产生电路有效

专利信息
申请号: 201610645901.5 申请日: 2016-08-09
公开(公告)号: CN106253879B 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 罗萍;王东俊;张辽 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K4/94 分类号: H03K4/94
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种峰值电压可变的梯形脉冲产生电路,属于电子电路技术领域。本发明提供的一种峰值电压可变的梯形脉冲产生电路,在外加时钟信号低电平期间通过MOS管对电容慢慢充电,当外加时钟信号由低电平翻转为高电平时,电容电压达到梯形脉冲的峰值电压,此时进入峰值电压的保持时间;同时外加时钟信号经过时钟变换电路可以生成一个占空比很小的高电平窄脉冲,该窄脉冲的高电平信号开启NMOS管,对电容进行快速放电,则电容上的电压降为零。本发明能够生成梯形脉冲,同时该梯形脉冲的峰值电压、占空比、上升和下降时间根据应用需求可以改变。本发明尤其适用于对脉冲需求比较灵活多变的电子电路领域。
搜索关键词: 一种 峰值 电压 可变 梯形 脉冲 产生 电路
【主权项】:
1.一种峰值电压可变的梯形脉冲产生电路,包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第一PMOS管(M5)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、电容(C1)和时钟变换电路;外部时钟信号(CLK)连接到时钟变换电路的输入端、第三NMOS管(M3)的栅极和第一PMOS管(M5)的栅极;第一NMOS管(M1)的栅极接时钟变换电路的输出端,其漏极接第二NMOS管(M2)的源极和电容(C1)的一端;第二NMOS管(M2)的漏极和栅极互连的同时连接第一PMOS管(M5)的漏极、第三NMOS管(M3)的漏极和第四NMOS管(M4)的栅极;第一PMOS管(M5)的源极接电源(VDD)的同时通过第二电阻(R2)接第四NMOS管(M4)的漏极,第四NMOS管(M4)的源极通过第一电阻(R1)接第三NMOS管(M3)的源极、第一NMOS管(M1)的源极和电容(C1)的另一端并接地。
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