[发明专利]冶金级高效多晶硅片的制备方法

摘要

本发明公开了冶金级高效多晶硅片的制备方法，将冶金硅、添加剂和硼的固化剂混合后置入炉膛中，抽真空，充入氩气，炉膛升温，使冶金硅熔化为硅熔体，保持硅熔体温度在900‑1000℃，恒温熔炼3.5‑4.5h；炉膛内抽真空，硅熔体温度保持在900‑1000℃，并在氩等离子体流量为280‑320ml/min，真空熔炼0.3‑0.8h；炉膛抽真空，同时调整硅熔体温度到1400‑1500℃，保温并静置、降温至室温得到硅锭；再经过切割、表面清洗，即得冶金级高效多晶硅片。本发明通过高效冶金硅片转换效率提升技术，通过高还原性添加剂和硼的固化剂，并延长固化时间，保证产品能达到99.999％，提高少子寿命，降低生产成本。

主权项

1.冶金级高效多晶硅片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将冶金硅、添加剂和硼的固化剂混合后置入炉膛中，抽真空至10‑3Pa以下后，充入氩气，使炉膛的气压略高于常压，炉膛升温，使冶金硅熔化为硅熔体，保持硅熔体温度在900‑1000℃，恒温熔炼3.5‑4.5h；添加剂按照重量份的原料包括：铁粉20‑28份、NaHCO3 25‑35份、CaO 20‑25份、炭粉20‑25份；硼的固化剂，按照重量份的原料包括：乙酸乙酯30‑60份、热塑性黏合剂6‑10份；2)炉膛内抽真空调整到10‑10‑1Pa，硅熔体温度保持在900‑1000℃，并在氩等离子体流量为280‑320ml/min，真空熔炼0.3‑0.8h，除去磷；3)炉膛抽真空到10‑3Pa以下，同时调整硅熔体温度到1400‑1500℃，保温并静置硅熔体30min，然后以50‑100℃/h降温至室温得到硅锭；4)将硅锭利用切割液进行切割，再用清洁剂进行表面清洗，即得冶金级高效多晶硅片；然后将切割后含有碳化硅、硅粉及切割液的粗液利用离心机进行分离，回收利用碳化硅，同时加热离心后的上清液至80‑90℃，通过压滤处理将硅粉回收，再通过抽真空加热进行脱水处理排除水，回收切割液。