[发明专利]一种FinFET器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610647023.0 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107706113B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层；在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层，所述开口图案露出所述种子层；在所述掩膜层和露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层，以覆盖所述掩膜层和所述种子层；以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻，以在所述种子层形成开口；在所述开口中通过气体‑液体‑固体蚀刻方法蚀刻所述鳍片材料层，以形成间隔的鳍片。所述方法可以保证所述更大高宽比(High‑aspect‑ratio)的FinFET器件免受损坏，使制备得到的FinFET器件中具有良好的轮廓，从而提高了所述半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层；在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层，所述开口图案露出所述种子层；在所述掩膜层和露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层，以覆盖所述掩膜层和所述种子层；以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻，以在所述种子层形成开口；在所述开口中通过气体‑液体‑固体蚀刻方法蚀刻所述鳍片材料层，以形成间隔的鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
