[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及相应装置

摘要

本发明涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及相应装置，用以解决目前常见的LTPS工艺，制作工艺较为复杂，一般需进行10‑11道光刻工艺，增加了低温多晶硅显示设备的生产成本的问题。该方法包括：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中通过一道构图工艺形成像素电极和遮光层的图形。本发明的制作方法中，能够通过一道构图工艺形成像素电极层和遮光层的图形，且在整个阵列基板的制作过程仅需要通过六道构图工艺来实现，相比于现有技术中需进行10‑11道光刻工艺，减少了LTPS工艺使用的掩膜版数量，简化了制程，并降低了生产成本。

主权项

1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中，通过一道构图工艺形成所述像素电极和所述遮光层的图形；在形成所述栅极的图形的同时，形成位于公共电极过孔区域的第一金属层；在形成所述源漏极的图形的同时，形成位于所述第一金属层和所述公共电极之间的第二金属层。