[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201610648622.4 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106252480B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、P型层，所述N型层包括至少5层N型子层，所述N型子层包括依次层叠的低掺层、高掺层和中断生长层，所述低掺层为不掺杂或者掺杂低于设定浓度Si的GaN层，所述高掺层为掺杂高于设定浓度Si的GaN层，所述中断生长层为SiN层。本发明既可以提高晶体质量，又可以提供足够的电子，还可以阻挡缺陷以减少非辐射复合中心的形成，并能形成有效的电流扩展通道。因此最终降低了工作电压，又提升了LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、P型层，其特征在于，所述N型层包括至少5层N型子层，所述N型子层包括依次层叠的低掺层、高掺层和中断生长层，所述低掺层为不掺杂或者掺杂低于设定浓度Si的GaN层，所述高掺层为掺杂高于设定浓度Si的GaN层，所述中断生长层为SiN层；所述高掺层的Si掺杂浓度＞所述中断生长层的Si掺杂浓度＞所述低掺层的Si掺杂浓度；所述低掺层的Si掺杂浓度小于1e18/cm3；所述高掺层的Si掺杂浓度大于5e18/cm3，且小于5e19/cm3；所述N型子层的层数为5～12层；所述N型层的厚度为1.5～2.5μm；所述高掺层的厚度在所述N型子层中最大。
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