[发明专利]用于晶硅太阳电池正面抗氧化层电极的铝锡浆及其制备方法有效
申请号: | 201610649488.X | 申请日: | 2016-08-10 |
公开(公告)号: | CN106158071B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 李涛;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01L31/0224;H01B13/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于晶硅太阳电池正面抗氧化层电极的铝锡浆,由65~70wt%的纳米铝粉、20~25wt%的纳米锡粉、1~5wt%的玻璃粉和4~14wt%的有机载体组成。将有机载体置于恒温容器中加热搅拌,依次向容器中加入纳米铝粉、纳米锡粉和玻璃粉,然后将制得的混合物置于三辊研磨机中研磨,之后用丝网过滤,得到所述的铝锡浆。铝锡浆预置在晶硅太阳电池正面后烘干制得抗氧化层铝锡电极,作为晶硅太阳电池正面镍/铜/铝锡贱金属复合电极的抗氧化层电极,阻止铜电极氧化。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳电池 正面 氧化 电极 铝锡浆 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于晶硅太阳电池正面抗氧化层电极的铝锡浆,其特征在于:所述的铝锡浆由65~70wt%的纳米铝粉、20~25wt%的纳米锡粉、1~5wt%的玻璃粉和4~14wt%的有机载体组成;所述的纳米铝粉的粒径为500~800nm,纯度大于99%;所述的纳米锡粉的粒径为500~800nm,纯度大于99%;所述的铝锡浆预置在晶硅太阳电池正面,烘干后制得抗氧化层铝锡电极,作为晶硅太阳电池正面镍/铜/铝锡贱金属复合电极的抗氧化层铝锡电极,阻止铜电极氧化;所述的晶硅太阳电池正面镍/铜/铝锡贱金属复合电极的底层为阻扩散层镍电极,中层为导电层铜电极,顶层为抗氧化层铝锡电极。
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