[发明专利]具有选择性的蚀刻停止衬层的自对准栅极系紧接触

摘要

本发明涉及一种具有选择性的蚀刻停止衬层的自对准栅极系紧接触。一种用于形成栅极系紧的方法，包括露出有源区以形成沟渠接触开口并形成沟渠接触于其中。在沟渠接触上以及相邻栅极结构的间隙壁上形成蚀刻停止层。沉积层间电介质(ILD)以填充在该蚀刻停止层之上。打开该层间电介质及在该栅极结构的一侧上的蚀刻停止层，以提供露出的蚀刻停止层部分。凹陷该栅极结构以露出栅极导体。移除该露出的蚀刻停止层部分。沉积导电材料以提供下到该栅极结构的该一侧上的沟渠接触的自对准接触，以形成下到栅极导体的栅极接触，以及在该栅极导体与该自对准接触之间形成位于有源区之上的层间电介质内的水平连接。

主权项

1.一种用于形成栅极系紧的方法，包括：通过蚀刻栅极结构的相邻侧上的电介质材料以打开沟渠接触开口以露出有源区，并形成沟渠接触于其中；在该沟渠接触上及相邻该沟渠接触的栅极结构的间隙壁上形成蚀刻停止层；沉积层间电介质(ILD)以填充在该沟渠接触开口中的该蚀刻停止层之上以及在相邻该沟渠接触的该栅极结构之上；打开该层间电介质及在该栅极结构的一侧上的该蚀刻停止层，以提供露出的蚀刻停止层部分；凹陷该栅极结构以移除帽盖层、凹陷一个间隙壁及露出栅极导体，并且移除该露出的蚀刻停止层部分；以及沉积导电材料以提供下到该栅极结构的该一侧上的该沟渠接触的自对准接触，以形成下到该栅极导体的栅极接触，并且在该栅极导体与该自对准接触之间形成位于该有源区之上的该层间电介质内的水平连接。