[发明专利]集成电路结构及其形成方法有效

申请号：	201610649787.3	申请日：	2016-08-10
公开（公告）号：	CN106941092B	公开（公告）日：	2019-12-27
发明（设计）人：	王超群;柯忠祁;施伯铮	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768
代理公司：	11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;TW
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摘要：	集成电路结构包括具有第一k值的第一低k介电层以及具有低于第一k值的第二k值的第二低k介电层。第二低k介电层位于第一低k介电层上面。双镶嵌结构包括具有位于第一低k介电层中的部分的通孔以及位于通孔上方并且连接至通孔的金属线。该金属线包括位于第二低k介电层中的部分。本发明的实施例还涉及集成电路结构的形成方法。
搜索关键词：	集成电路结构及其形成方法
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【主权项】：

1.一种集成电路结构，包括：/n第一低k介电层，具有第一k值；/n第二低k介电层，位于所述第一低k介电层上面，具有小于所述第一k值的第二k值；/n过渡层，位于所述第一低k介电层和所述第二低k介电层之间，其中，所述过渡层具有低于所述第一k值并且高于所述第二k值的第三k值；以及/n双镶嵌结构，包括：/n通孔，具有位于所述第一低k介电层中的部分；和/n金属线，位于所述通孔上方并且连接至所述通孔，其中，所述金属线包括位于所述第二低k介电层中的部分。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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