[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201610651518.0 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106024707B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杜哲;蔡伟民;周衍旭 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/306;H01L21/3065;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，其中方法包括如下步骤：采用镀膜工艺在基板表面沉积预设厚度的非晶硅膜层；对沉积非晶硅膜层后的基板进行边缘曝光，并采用刻蚀工艺去除位于基板表面边缘位置处的边缘膜厚过渡区的非晶硅膜层；对非晶硅膜层进行结晶工艺，将非晶硅膜层转换为多晶硅膜层。由此解决了传统的阵列基板由于基板表面边缘处的多晶硅膜层厚度不均所导致后续封装不良的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用镀膜工艺在基板表面沉积预设厚度的非晶硅膜层；对沉积所述非晶硅膜层后的所述基板进行边缘曝光，并采用刻蚀工艺去除位于所述基板表面边缘位置处的边缘膜厚过渡区的非晶硅膜层；对所述非晶硅膜层进行结晶工艺，将所述非晶硅膜层转换为多晶硅膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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