[发明专利]电子元器件用保护膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种电子元器件用保护膜的制备方法，属于电子元器件领域，其原料由乙烯‑丙烯酸共聚物、硅烷偶联剂、天然植物胶、草木灰、低品位氧化锌矿、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯组成，然后经过粉碎、熔融反应、制膜或涂覆制得；本发明制得的厚度为10‑100μm的薄膜或者厚度为30‑100μm的涂覆膜，以200℃×1小时进行处理后的30℃下的拉伸强度达到51MPa以上、伸长率为在5％以下，具有优异的机械性能，可以作为自支撑膜或者复合膜的基膜；其表面电阻值为1×106Ω≤Rs＜1×109Ω，非接触防静电电压值达到12kv以上，具有优异的防静电性能，同时，具有优异的耐酸碱耐高温低温性能。

主权项

一种电子元器件用保护膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）称量：按下述重量百分比例进行称量原料；乙烯‑丙烯酸共聚物    35‑45%硅烷偶联剂           3‑5%天然植物胶           15‑25%草木灰               2‑5%低品位氧化锌矿       15‑20%硬脂酸               3‑5%沸石粉               2‑5%脂肪酸聚乙二醇酯     1‑3%；上述组分总计为100%（2）粉碎：将草木灰粉碎至粒径小于30μm，将低品位氧化锌矿粉碎至粒径小于50μm；（3）熔融反应：将乙烯‑丙烯酸共聚物、硅烷偶联剂、天然植物胶、草木灰、硬脂酸和脂肪酸聚乙二醇酯按所述比例混合，600r/min搅拌5min，然后加热至熔融状态，并在185℃下搅拌20min，然后加入所述比例的低品位氧化锌矿和沸石粉，在178℃下反应15min，得到胶料；（4）制膜或涂覆：将步骤（3）得到的胶料，采用吹塑等工艺制成厚度为10‑100μm的薄膜，或者采用涂覆的方式，得到厚度为30‑100μm的薄膜。