[发明专利]半导体器件、FINFET器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610652891.8 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106560931A | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 萧茹雄;吴启明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件、FinFET器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底和位于衬底上方的栅极。此外，该栅极包括第一部分、位于第一部分上面的第二部分和位于第二部分上面的第三部分，并且第二部分的临界尺寸小于第一部分的临界尺寸和第三部分的临界尺寸的每个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；以及栅极，位于所述衬底上方，其中，所述栅极包括第一部分，位于所述第一部分上面的第二部分和位于所述第二部分上面的第三部分，并且所述第二部分的临界尺寸小于所述第一部分的临界尺寸和所述第三部分的临界尺寸的每个。
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