[发明专利]一种多晶硅半熔铸锭方法及装置

摘要

本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭方法及装置，将多晶硅碎料均匀铺设在石英坩埚底部，然后依次进行抽真空、加热，得到加热后的碎片层；将铸锭炉加热器的温度升高，再调节顶部加热器和侧部加热器功率比让底部有持续的冷量，确保籽晶不被熔化，在降低温度后，同时调整顶部加热器和侧部加热器功率比，并保持温度不变，进行长晶；继续降低铸锭炉加热器的温度，调节顶部和侧部加热器的功率比系数控制长晶速率进行长晶，长晶后，再依次进行退火、冷却，既得到所述半熔高效多晶硅铸锭。本发明一种多晶硅半熔铸锭方法及装置，不需要更改加热器结构，操作简单，通过特定工艺参数即可达到有效排杂和提高产品质量的目的。

主权项

一种多晶硅半熔铸锭方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将多晶硅碎料均匀铺设在石英坩埚底部，使碎片层厚度达到8mm～30mm，然后依次进行抽真空、加热，得到加热后的碎片层；2)将铸锭炉加热器的温度升到1550℃～1555℃，再调节顶部加热器和侧部加热器功率比为1：0.2，让底部有持续的冷量，确保籽晶不被熔化；当籽晶剩余厚度为10mm时，底部通冷气流量为20‑60ml/s，温度逐渐下降到1430～1440℃后，同时调整顶部加热器和侧部加热器功率比为0.5：0.8，并保持温度不变，长晶20～40min；3)保证底部通冷气20‑60ml/S，继续降低铸锭炉加热器的温度，顶部加热器和侧部加热器的功率比系数为0.6：0.3，进行长晶，长晶速率控制在10‑13mm/h；4)长晶后，再依次进行退火、冷却，既得到所述半熔高效多晶硅铸锭。