[发明专利]薄膜光伏装置及制造方法

摘要

一种制造薄膜光伏装置(100)的方法，所述方法包括：a)在背面接触层上沉积吸收层的第一区，所述背面接触层设置在基板上，其中，所述第一区包含选自由In、Ga和Al组成的组中的一种或多种第一元素；b)在所述第一区上沉积所述吸收层的第二区，在沉积所述第二区期间，保持第一沉积速率比率；c)在所述第二区上沉积所述吸收层的第三区，在沉积所述第三区期间，保持第二沉积速率比率，且所述第二沉积速率比率小于所述第一沉积速率比率的0.83倍；以及d)在所述第三区上沉积所述吸收层的第四区，在沉积所述第四区期间，保持第三沉积速率比率，并且，所述第三沉积速率比率大于所述第二沉积速率比率的1.2倍。

主权项

1.一种形成薄膜光伏装置的吸收层的方法，所述方法包括：/na)在背面接触层上沉积吸收层的第一区，所述背面接触层设置在基板上，其中，所述第一区包含选自由In、Ga和Al组成的组中的一种或多种第一元素；/nb)在所述第一区上沉积所述吸收层的第二区，其中，沉积所述第二区包括：/n以第一沉积速率沉积所述一种或多种第一元素；/n以第二沉积速率沉积一种或多种第二元素，其中，所述一种或多种第二元素为Cu或Ag；以及/n在沉积所述第二区期间，保持第一沉积速率比率，其中，所述第一沉积速率比率为所述第二沉积速率与所述第一沉积速率的比率；/nc)在所述第二区上沉积所述吸收层的第三区，其中，所述吸收层的第三区包含所述一种或多种第二元素中的一种，和一种或多种第一元素，并且，沉积所述第三区包括：/n以第三沉积速率沉积所述一种或多种第一元素；/n以第四沉积速率沉积所述一种或多种第二元素中的一种；以及/n在沉积所述第三区期间，保持第二沉积速率比率，其中，所述第二沉积速率比率为所述第四沉积速率与所述第三沉积速率的比率，且所述第二沉积速率比率小于所述第一沉积速率比率的0.83倍；以及/nd)在所述第三区上沉积所述吸收层的第四区，其中，所述吸收层的第四区包含所述一种或多种第二元素中的一种，以及一种或多种第一元素，并且，沉积所述第四区包括：/n以第五沉积速率沉积所述一种或多种第一元素；/n以第六沉积速率沉积所述一种或多种第二元素；以及/n在沉积所述第四区期间，保持第三沉积速率比率，其中，所述第三沉积速率比率为所述第六沉积速率与所述第五沉积速率的比率，并且，所述第三沉积速率比率大于所述第二沉积速率比率的1.2倍；/ne)沉积所述吸收层的第五区，包括在所述第四区上沉积一种或多种第一元素，直至在所述第一区至所述第五区中，第二元素的总量相对于第一元素的总量能用大于0.6且小于0.99的原子比率表示；以及/n在形成所述第一区至所述第五区中的至少一个区期间，提供Se、S或Te中的一种或多种。/n