[发明专利]一种CdSZnO核壳纳米棒阵列结构的制备方法

摘要

一种CdSZnO核壳纳米棒阵列结构的制备方法，称取 0.74ｇ硝酸锌、0.35ｇ六次甲基四胺溶解于蒸馏水中，磁力搅拌20min，取上述澄清溶液倒入反应釜中，并将FTO导电玻璃倾斜放入，于100℃烘箱中水热反应９ｈ，冷却至室温取出FTO导电玻璃用无水乙醇和蒸馏水分别冲洗4次后，室温干燥后于380‑390℃煅烧20‑25min，自然冷却至室温即得ＺｎＯ纳米棒阵列，以ＺｎＯ纳米棒阵列为工作电极、Ｐｔ电极为对电极，在含有0.63ｇ氯化镉、0.3ｇ硫粉的二甲亚砜溶液中，控制电流为15ｍＡ，于100‑105℃下电沉积50s的ＣｄＳ纳米晶，产品再依次用二甲亚砜和无水乙醇冲洗2次后，于380‑390℃煅烧20‑25min，冷却至室温。本发明的有益效果是：拓宽和加强电池的光吸收能力，有利于提高电池的光电性能。

主权项

一种CdSZnO核壳纳米棒阵列结构的制备方法，其特征在于：称取 0.74ｇ硝酸锌、0.35ｇ六次甲基四胺溶解于蒸馏水中，磁力搅拌20min使其混合均匀，取上述澄清溶液倒入反应釜中，并将FTO导电玻璃倾斜放入聚四氟乙烯反应釜中，于100℃烘 箱中水热反应９ｈ，反应结束后待反应釜冷却至室温，取出FTO导电玻璃用无水乙醇和蒸馏水分别冲洗4次后，室温干燥后于380‑390℃煅烧20‑25min，自然冷却至室温即得ＺｎＯ纳米棒阵列，以ＺｎＯ纳米棒阵列为工作电极、Ｐｔ电极为对电极，在含有0.63ｇ氯化镉、0.3ｇ硫粉的二甲亚砜溶液中，控制电流为15ｍＡ，于100‑105℃下电沉积50s的ＣｄＳ纳米晶，所得样品依次用二甲亚砜和无水乙醇冲洗2次后，于380‑390℃煅烧20‑25min，自然冷却至室温即得。