[发明专利]一种制备测序反应小室的方法在审

专利信息
申请号: 201610655655.1 申请日: 2016-08-11
公开(公告)号: CN107723203A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 盛司潼;祝捷 申请(专利权)人: 广州康昕瑞基因健康科技有限公司
主分类号: C12M1/00 分类号: C12M1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510000 广东省广州市萝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及基因测序设备制造领域,提供了一种制备测序反应小室的方法,包括以下步骤硅烷化步骤,第一基片包括第一表面,第二基片包括朝向第一表面的第二表面,对目标区域进行硅烷化,得硅烷化目标区域;遮掩步骤,用物理方法对硅烷化的目标区域进行遮掩;第一等离子化步骤,对第一基片的第一表面未被遮掩的区域进行等离子化处理;第二等离子化步骤,对第二基片的第二表面未被遮掩的区域进行等离子化处理;键合步骤,移除遮掩,并将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合,得测序反应小室。通过对下基片目标区域硅烷化涂层的遮掩,实现了在等离子化过程中对硅烷化区域的保护,保证了测序反应小室的制备质量。
搜索关键词: 一种 制备 反应 小室 方法
【主权项】:
一种制备测序反应小室的方法,其特征在于,包括下列步骤:硅烷化步骤,第一基片包括第一表面,第二基片包括朝向第一表面的第二表面,第二表面开设凹槽,将第二基片凹槽底面或第一基片对应凹槽开口范围的第一表面定义为目标区域,对所述目标区域进行硅烷化,得硅烷化目标区域;遮掩步骤,用物理方法对硅烷化的目标区域进行遮掩;第一等离子化步骤,对第一基片的第一表面未被遮掩的区域进行等离子化处理,将第一表面改性为亲水表面;第二等离子化步骤,对第二基片的第二表面未被遮掩的区域进行等离子化处理,将第二表面改性为亲水表面;键合步骤,移除遮掩,并将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合,得测序反应小室。
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