[发明专利]一种用于超级电容器的NiSe孔状纳米球材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610655797.8 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106158397B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;杨杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/36;H01G11/86 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;李学红 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用作超级电容器电极材料的NiSe孔状纳米球材料及其制备方法。所述纳米球表面由弯曲纳米墙交错形成孔状结构，纳米墙上还进一步形成由薄纳米片组成的褶皱。所述NiSe孔状纳米球材料的合成为一步溶剂热法，制备简单、节能，适合工业化生产。合成的NiSe纳米材料在三电极体系下测试，在1mA cm‑1的电流密度下表现出0.96F cm‑1的高比容量。本发明制备的NiSe纳米电极材料具有比电容高，且制备方法操作简单、绿色环保，低成本的优点，利于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超级 电容器 nise 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于超级电容器的NiSe孔状纳米球材料，其特征在于：所述NiSe孔状纳米球直径为1～2μm，纳米球表面由厚度为100～200nm的弯曲纳米墙交错形成孔状结构，纳米墙上还进一步形成由薄纳米片组成的褶皱。
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