[发明专利]快闪存储器的形成方法

摘要

一种快闪存储器的形成方法，包括：提供有字线位线区和源线浮栅区的半导体衬底；在部分半导体衬底上形成横跨字线位线区和源线浮栅区的浮栅氧化层和浮栅层；在半导体衬底中形成位于浮栅氧化层和浮栅层两侧的隔离层；之后形成覆盖字线位线区的介质层，介质层间有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；之后去除第一开口底部的浮栅层和浮栅氧化层，形成第二开口；在第一开口和第二开口中、第一侧墙和介质层上形成源线膜；研磨去除第一侧墙和介质层上的源线膜，研磨中的过研磨量根据隔离层顶部表面到浮栅层的顶部表面的高度获取；去除字线位线区的介质层、浮栅层和浮栅氧化层后，在字线位线区形成字线结构。所述方法能降低编程串扰失效。

主权项

1.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有字线位线区和源线浮栅区，所述源线浮栅区位于相邻字线位线区之间；在部分半导体衬底上形成横跨所述字线位线区和源线浮栅区的浮栅氧化层和浮栅层，浮栅层位于浮栅氧化层上；在半导体衬底中形成横跨所述字线位线区和源线浮栅区的隔离层，所述隔离层位于浮栅氧化层和浮栅层两侧；形成介质层，所述介质层覆盖字线位线区的浮栅氧化层、浮栅层和隔离层，相邻介质层之间具有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；以第一侧墙为掩膜去除第一开口底部的浮栅层和浮栅氧化层，在第一开口底部形成第二开口；在第一开口和第二开口中、及第一侧墙和介质层上形成源线膜；研磨去除第一侧墙和介质层上的源线膜，在第一开口和第二开口中形成源线层，所述研磨包括：主研磨，所述主研磨暴露出浮栅层上的第一侧墙和介质层、或者暴露出隔离层上的第一侧墙和介质层；主研磨后进行过研磨，根据隔离层顶部表面相对于浮栅层的顶部表面的高度获取所述过研磨的过研磨量；所述过研磨量获取的方法为：设置所述过研磨量的修正量；将所述隔离层顶部表面相对于浮栅层的顶部表面的高度与所述修正量取和，得到过研磨量；形成源线层后，去除字线位线区的介质层、浮栅层和浮栅氧化层，形成浮栅介质层和位于浮栅介质层上的浮栅；在暴露出的浮栅介质层和浮栅的侧壁形成字线结构。