[发明专利]金属化薄膜电容的制造方法

摘要

本发明公开一种金属化薄膜电容的制造方法，包括以下步骤：S1，薄膜电容金属化：聚丙烯薄膜为基膜，真空蒸镀方式将锌铝附着在聚丙烯薄膜表面形成电极，且形成边缘加厚的金属层；S2，包裹：在边缘加厚的金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成呈T型的绝缘层；S3，卷绕、定型：通过无感式对聚丙烯薄膜层以及金属层电极进行绕卷形成芯子；S4，喷金：在金属化薄膜电容的两个端面喷镀锌锡合金形成金属合金层；S5，赋能；S6，封装；金属层的加厚端厚度是0.1um、方阻为非加厚端厚度是0.08um、方阻为本发明具有电能损耗低、电性能稳定、使用寿命长的优点。

主权项

一种金属化薄膜电容的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，薄膜电容金属化：采用聚丙烯薄膜为基膜，通过真空蒸镀方式将锌铝附着在聚丙烯薄膜表面形成电极，并且，锌铝附着在聚丙烯薄膜两侧的两边形成边缘加厚的金属层；S2，包裹：在边缘加厚的金属层和聚丙烯薄膜中间的留边位置，通过真空热压的方式，包裹一层绝缘材料形成T型的绝缘层；S3，卷绕、定型：通过无感式对聚丙烯薄膜层以及金属层电极进行绕卷形成芯子，芯子之间串联；S4，喷金：在金属化薄膜电容的两个端面喷镀合金形成金属合金层；所述合金是锌锡合金；S5，赋能，将喷金处理后的芯子进行赋能处理；S6，封装，将芯子单向引出，以绝缘材料进行热压封装，并以阻燃防紫外绝缘材料灌封；其中，所述金属层的加厚端厚度是0.1um、方阻为非加厚端厚度是0.08um、方阻为