[发明专利]一种电源反接保护电路有效
| 申请号： | 201610656359.3 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106229962B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 古鸽;王家斌;黄绪江 | 申请（专利权）人： | 上海能埔电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 刘常宝 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾开发*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电源反接保护电路，该保护电路包括两P型MOSFET、二极管以及电阻器，两P型MOSFET配合形成单向导通电流；二极管用于反向钳位，为两P型MOSFET提供电压箝位保护；电阻器用于建立两P型MOSFET的栅极电位。据此构成的电源反接保护电路，其具有结构简单，低启动电压，低导通功耗，低发热和高抗ESD能力的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 反接 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电源反接保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：第一P型MOSFET和第二P型MOSFET，配合形成单向导通电流；第一二极管，用于反向钳位，为第一P型MOSFET和第二P型MOSFET提供电压箝位保护；电阻器，用于建立第一P型MOSFET和第二P型MOSFET栅极电位；所述第一P型MOSFET的D端和第二P型MOSFET的S端连接形成保护电路的输入端口；第二P型MOSFET的D端作为保护电路的输出端口；第一P型MOSFET的B端，S端和第二P型MOSFET的B端连接形成高压端阱偏置端口；第一P型MOSFET的G端和第二P型MOSFET的G端通过电阻器接地。
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