[发明专利]碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片在审
| 申请号： | 201610656629.0 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107723797A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L29/161;C23C16/44;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片，其中，制备方法包括在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。通过本发明的技术方案，有效地解决了碳化硅晶圆片兼容于标准集成电路工艺的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶圆片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，包括：在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。
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