[发明专利]一种基于硫化镍钴的赝电容器电极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极及其制备方法，该电极包括泡沫镍基底和位于其上的多个硫化钴镍纳米片，所述硫化钴镍纳米片相互连接呈蜂窝状且每片硫化钴镍纳米片上分布着多个纳米级的孔洞。其制备方法如下：1)通过水热法制得含有氢氧化钴镍纳米片的泡沫镍，所述氢氧化钴镍纳米片位于泡沫镍上且相互连接呈蜂窝状；2)通过硫化法处理步骤1)所得含有氢氧化钴镍纳米片的泡沫镍，使氢氧化钴镍纳米片转变为硫化钴镍纳米片；3)通过碱溶液刻蚀法，在硫化钴镍纳米片上构造出均匀分布的纳米级孔洞。该方法工艺简单，且成本低廉，制得的电极具有三维分级纳米结构，具有极高的比容量，良好的倍率性能和优异的循环稳定性。

主权项

1.一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极的制备方法，所述电极包括泡沫镍基底（1）和位于所述泡沫镍基底（1）上的多个硫化钴镍纳米片（2），所述多个硫化钴镍纳米片相互连接呈蜂窝状且每片硫化钴镍纳米片上分布着多个纳米级的孔洞（3），所述孔洞（3）的孔径为1~3 nm，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1）将泡沫镍用浓盐酸浸泡，再分别用水和有机溶剂洗涤除去泡沫镍表面的氧化物以及油脂；2）称取Ni(NO₃)₂·6H₂O、Co(NO₃)₂·6H₂O、Na₂SO₄，加入水溶液中，制得混合液；Ni(NO₃)₂·6H₂O与Co(NO₃)₂·6H₂O的摩尔比为0.1:1~1:0.1；Ni(NO₃)₂·6H₂O和Co(NO₃)₂·6H₂O的混合物与Na₂SO₄的摩尔比为1:0.5~1:4；3）将步骤2）中的混合液加入含有经步骤1）处理过的泡沫镍的水热釜中进行反应，制得含有氢氧化钴镍纳米片的泡沫镍，所述氢氧化钴镍纳米片位于泡沫镍上且相互连接呈蜂窝状；4）通过硫化法处理步骤3）所得含有氢氧化钴镍纳米片的泡沫镍，使氢氧化钴镍纳米片转变为硫化钴镍纳米片，制得含有硫化钴镍纳米片的泡沫镍；5）通过碱溶液刻蚀法处理步骤4）中所述的含有硫化钴镍纳米片的泡沫镍至所述硫化钴镍纳米片上出现多个纳米级的孔洞。