[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201610657822.6 | 申请日: | 2016-08-11 |
公开(公告)号: | CN106169483B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 王骁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板划分为多个像素区,每一像素区内包括薄膜晶体管和像素电极,源极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一源极对应的栅极和栅线包括该源极所在薄膜晶体管的栅极,以及与该源极所在薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线;像素电极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一像素电极对应的栅极和栅线包括该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极,以及与该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线。该阵列基板具有补偿寄生电容,能保证不同显示屏的跳变电压保持一致。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,划分为多个像素区,每一所述像素区内均包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,其特征在于,所述源极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一源极对应的栅极和栅线包括该源极所在薄膜晶体管的栅极,以及与该源极所在薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线;所述像素电极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一像素电极对应的栅极和栅线包括该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极,以及与该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线;所述源极、所述漏极和所述像素电极采用同一构图工艺形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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