[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201610657822.6 申请日: 2016-08-11
公开(公告)号: CN106169483B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 王骁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/423;H01L21/77;G02F1/1368
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板划分为多个像素区,每一像素区内包括薄膜晶体管和像素电极,源极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一源极对应的栅极和栅线包括该源极所在薄膜晶体管的栅极,以及与该源极所在薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线;像素电极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一像素电极对应的栅极和栅线包括该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极,以及与该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线。该阵列基板具有补偿寄生电容,能保证不同显示屏的跳变电压保持一致。
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
1.一种阵列基板,划分为多个像素区,每一所述像素区内均包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,其特征在于,所述源极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一源极对应的栅极和栅线包括该源极所在薄膜晶体管的栅极,以及与该源极所在薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线;所述像素电极和与其对应的栅极或栅线在正投影方向上至少部分重叠,与任一像素电极对应的栅极和栅线包括该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极,以及与该像素电极所在像素区内的薄膜晶体管的栅极电连接的栅极和栅线;所述源极、所述漏极和所述像素电极采用同一构图工艺形成。
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