[发明专利]一种制备有序银纳米球阵列的方法有效
| 申请号： | 201610658664.6 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106282931B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张璋;曾志强;苏绍强;高兴森 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/58;C23C14/16;C25D11/12;B82Y40/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 510631 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种制备有序银纳米球阵列的方法，所述方法包括：制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品；在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀10nm厚的银膜；将所述OAB阵列模板样品在500℃真空下退火1h，获得有序银纳米球阵列结构。上述技术方案具有如下有益效果：(1)所制备的银纳米球阵列高度有序。(2)尺寸分布小而且结构可调。(3)无需将OAB模板转移到其他基底，因此可大面积制备有序的Ag纳米球阵列。(4)所述有序银纳米球阵列结构具有超高密度(＞1010cm‑1)。(5)制备工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 球阵列 银纳米 制备 阵列模板 退火 尺寸分布 高度有序 模板转移 制备工艺 纳米球 热蒸镀 基底 可调 银膜 | ||
【主权项】：
1.一种制备有序银纳米球阵列的方法，其特征在于，所述方法包括：利用二次氧化的方法制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品；将热蒸镀腔内压强抽至2.5×10‑4Pa以得到真空度，以热蒸镀的速率为![]()
所述OAB阵列模板样品所在的样品托盘转动速度为20r/min的条件下，在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀10nm厚的银膜；将所述OAB阵列模板样品转移至压强抽至2.5×10‑3Pa以得到真空度的管式炉中，在所述管式炉中的500℃真空下退火1h，获得有序银纳米球阵列结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610658664.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
