[发明专利]减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法在审
| 申请号： | 201610659008.8 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106067421A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法，其包括：在晶圆表面旋涂光刻胶形成光刻胶层；采用光刻工艺在光刻胶层上刻蚀出源极区域和漏极区域，其中，源极区域和漏极区域露出晶圆表面；向源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射氩离子，以使氩离子轰击晶圆表面；向源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射金属形成源极金属电极和漏极金属电极；剥离光刻胶层，并采用高温快速热退火工艺使源极金属电极和漏极金属电极形成欧姆接触。通过上述方式，本发明能够增加半导体中的N空位的浓度，有助于通过高温热退火合金技术获得更低的欧姆接触电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 氮化 电子 迁移率 晶体管 欧姆 接触 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
一种减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法，其特征在于，包括：在晶圆表面旋涂光刻胶形成光刻胶层；采用光刻工艺在所述光刻胶层上刻蚀出源极区域和漏极区域，其中，所述源极区域和漏极区域露出所述晶圆表面；向所述源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射氩离子，以使氩离子轰击所述晶圆表面；向所述源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射金属形成源极金属电极和漏极金属电极；剥离所述光刻胶层，并采用高温快速热退火工艺使所述源极金属电极和漏极金属电极形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
